1. Oorsig van die huidige algehele tegnologiese status van silikongebaseerde LED's

Die groei van GaN-materiale op silikonsubstrate staar twee groot tegniese uitdagings in die gesig.Eerstens lei 'n rooster-wanverhouding van tot 17% tussen die silikonsubstraat en GaN tot 'n hoër ontwrigtingsdigtheid binne die GaN-materiaal, wat die luminesensiedoeltreffendheid beïnvloed;Tweedens is daar 'n termiese wanverhouding van tot 54% tussen die silikonsubstraat en GaN, wat GaN-films geneig maak om te kraak na hoë-temperatuurgroei en tot kamertemperatuur daal, wat produksie-opbrengs beïnvloed.Daarom is die groei van die bufferlaag tussen die silikon substraat en GaN dun film uiters belangrik.Die bufferlaag speel 'n rol om die ontwrigtingsdigtheid binne GaN te verminder en GaN-kraking te verlig.In 'n groot mate bepaal die tegniese vlak van die bufferlaag die interne kwantumdoeltreffendheid en produksie-opbrengs van LED, wat die fokus en moeilikheid van silikon-gebaseerdeLED.Van nou af, met aansienlike investering in navorsing en ontwikkeling van beide die industrie en akademie, is hierdie tegnologiese uitdaging basies oorkom.

Die silikonsubstraat absorbeer sigbare lig sterk, dus moet die GaN-film na 'n ander substraat oorgedra word.Voor oordrag word 'n hoëreflektiwiteitsreflektor tussen die GaN-film en die ander substraat ingevoeg om te verhoed dat die lig wat deur die GaN uitgestraal word deur die substraat geabsorbeer word.Die LED-struktuur na substraatoordrag staan ​​in die industrie bekend as 'n dunfilmskyfie.Dunfilmskyfies het voordele bo tradisionele formele struktuurskyfies in terme van stroomdiffusie, termiese geleidingsvermoë en koluniformiteit.

2. Oorsig van die huidige algehele toepassing status en mark oorsig van silikon substraat LED's

Silikongebaseerde LED's het 'n vertikale struktuur, eenvormige stroomverspreiding en vinnige verspreiding, wat hulle geskik maak vir hoëkragtoepassings.As gevolg van sy eensydige liguitset, goeie rigting en goeie ligkwaliteit, is dit veral geskik vir mobiele beligting soos motorbeligting, soekligte, mynlampe, selfoonflitsligte en hoë-end beligtingsvelde met hoë ligkwaliteitvereistes .

Die tegnologie en proses van Jingneng Optoelectronics silikon substraat LED het volwasse geword.Op die basis daarvan om voort te gaan om toonaangewende voordele op die gebied van silikon substraat blou lig LED skyfies te handhaaf, brei ons produkte steeds uit na beligtingsvelde wat rigtinglig en hoë kwaliteit uitset vereis, soos wit lig LED skyfies met hoër werkverrigting en toegevoegde waarde , LED-selfoonflitsligte, LED-motorligte, LED-straatligte, LED-agterlig, ens., wat geleidelik die voordelige posisie van silikonsubstraat LED-skyfies in die gesegmenteerde industrie vestig.

3. Ontwikkeling neiging voorspelling van silikon substraat LED

Die verbetering van ligdoeltreffendheid, die vermindering van koste of kostedoeltreffendheid is 'n ewige tema in dieLED industrie.Silikonsubstraat dunfilmskyfies moet verpak word voordat dit toegedien kan word, en die koste van verpakking maak 'n groot deel van die LED-toedieningskoste uit.Slaan tradisionele verpakking oor en pak die komponente direk op die wafer.Met ander woorde, skyfieskaalverpakking (CSP) op die wafer kan die verpakkingskant oorslaan en direk vanaf die skyfiekant die aansoekkant binnegaan, wat die toepassingskoste van LED verder verminder.CSP is een van die vooruitsigte vir GaN-gebaseerde LED's op silikon.Internasionale maatskappye soos Toshiba en Samsung het berig dat hulle silikongebaseerde LED's vir CSP gebruik, en daar word geglo dat verwante produkte binnekort in die mark beskikbaar sal wees.

In onlangse jare is 'n ander hotspot in die LED-industrie Micro LED, ook bekend as mikrometervlak LED.Die grootte van Mikro LED's wissel van 'n paar mikrometer tot tientalle mikrometers, amper op dieselfde vlak as die dikte van GaN dun films wat deur epitaksie gegroei word.Op die mikrometerskaal kan GaN-materiaal direk in vertikaal gestruktureerde GaNLED gemaak word sonder dat ondersteuning nodig is.Dit wil sê, in die proses om Mikro-LED's voor te berei, moet die substraat vir die groei van GaN verwyder word.'n Natuurlike voordeel van silikongebaseerde LED's is dat die silikonsubstraat deur chemiese nat-ets alleen verwyder kan word, sonder enige impak op die GaN-materiaal tydens die verwyderingsproses, wat opbrengs en betroubaarheid verseker.Vanuit hierdie perspektief sal silikonsubstraat LED-tegnologie 'n plek hê op die gebied van mikro-LED's.